收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APT34M120J
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT34M120J

Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 66
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与APT34M120J相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT34M60B Microsemi Power Products Group TO-247-3 20 MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT34N80B2C3G Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 210 MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT34N80LC3G Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 82 MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT34F60BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT34F60B Microsemi Power Products Group TO-247-3 36 MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT34F100L Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 25 MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT34M120J参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:34A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:560nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:18200pF @ 25V
功率 - 最大:960W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别