型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT34F100L |
Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 25 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 参考包装数量:25 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT34F60B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 36 | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT34F60BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
APT34M120J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 66 | MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电... |
APT34F100B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 29 | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,... | |
APT33GF120BRG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 23 | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,... |