| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT28M120L |
Microsemi Power Products Group | TO-264-3，TO-264AA | 43 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 参考包装数量：25 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT29F100B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 13 | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT29F100L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| APT29F80J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
| APT28M120B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 279 | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT28GA60K | Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | 49 | IGBT 600V 50A 223W TO-220 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| APT28GA60BD15 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | IGBT 600V 50A 222W TO247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
