| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT28GA60K |
Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | 49 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 50A 223W TO-220 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT28M120B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 279 | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT28M120L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3，TO-264AA | 43 | MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT29F100B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 13 | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT28GA60BD15 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | IGBT 600V 50A 222W TO247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| APT28F60B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 2 | MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT27GA90K | Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | 50 | IGBT 900V 48A 223W TO-220 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：900V Vge, I... |
