| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT20GN60BDQ1G |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 40A 136W TO247 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT20GN60BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | IGBT 600V 40A 136W TO247 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
| APT20GT60BRDQ1G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 22 | IGBT 600V 43A 174W TO247 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... |
| APT20GT60BRG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | IGBT 600V 43A 174W TO247 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... |
| APT20GF120BRG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| APT20GF120BRDQ1G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | IGBT 1200V 36A 200W TO247 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| APT20F50B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 1 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
