收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT20F50B
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT20F50B

Microsemi Power Products Group TO-247-3 1
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT20F50B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT20GF120BRDQ1G Microsemi Power Products Group TO-247-3 IGBT 1200V 36A 200W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
APT20GF120BRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 IGBT 1200V 32A 200W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
APT20GN60BDQ1G Microsemi Power Products Group TO-247-3 30 IGBT 600V 40A 136W TO247 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
APT2012ZGC Kingbright Corp 0805(2012 公制) 22000 LED 2X1.2MM 525NM GN WTR CLR SMD 颜色:绿 Millicandela 等级:300mcd 正向电压:3.3V 电流...
APT2012YC Kingbright Corp 0805(2012 公制) 46000 LED 2X1.2MM 588NM YW WTR CLR SMD 颜色:黄 Millicandela 等级:150mcd 正向电压:2V 电流 -...
APT2012SYCK Kingbright Corp 0805(2012 公制) 34000 LED 2X1.2MM 590NM YW WTR CLR SMD 颜色:黄 Millicandela 等级:150mcd 正向电压:2V 电流 -...

APT20F50B参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2950pF @ 25V
功率 - 最大值:290W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别