| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ALD114913PAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 91 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ALD114913SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114935PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 78 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114935SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 72 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114904SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 32 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114904PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 32 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114904ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 90 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
