型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ALD114904SAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 32 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC 参考包装数量:50 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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ALD114913PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 91 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
ALD114913SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 15 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
ALD114935PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 78 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
ALD114904PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 32 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
ALD114904ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 90 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
ALD114904APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 68 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |