| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ALD1115MAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 13.2V 8MSOP 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ALD1115PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 150 | MOSFET N/P-CH 13.2V 8PDIP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... |
| ALD1115SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 50 | MOSFET N/P-CH 13.2V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... |
| ALD1116PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 52 | MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD1110ESAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1110EPAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-CH ADJ DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110914SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 87 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
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