| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ALD1110ESAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ALD1115MAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET N/P-CH 13.2V 8MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... | |
| ALD1115PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 150 | MOSFET N/P-CH 13.2V 8PDIP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... |
| ALD1115SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 50 | MOSFET N/P-CH 13.2V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... |
| ALD1110EPAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-CH ADJ DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110914SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 87 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD110914PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 63 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
