| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ALD110900SAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 45 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ALD110902PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 111 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD110902SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 50 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD110904PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 108 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD110900PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 41 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD110900ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 44 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD110900APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 23 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
