型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ALD110900ASAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 44 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC 参考包装数量:50 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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ALD110900PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 41 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |
ALD110900SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 45 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |
ALD110902PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 111 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |
ALD110900APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 23 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |
ALD1108ESCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH ADJ QUAD 16SOIC | FET 型:4 N 沟道,配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):... | |
ALD1108EPCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP(0.300",7.62mm) | MOSFET N-CH ADJ QUAD 16PDIP | FET 型:4 N 沟道,配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):... |