收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ALD110900ASAL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ALD110900ASAL

Advanced Linear Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 44
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与ALD110900ASAL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ALD110900PAL Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) 41 MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD110900SAL Advanced Linear Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 45 MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD110902PAL Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) 111 MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD110900APAL Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) 23 MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD1108ESCL Advanced Linear Devices Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH ADJ QUAD 16SOIC FET 型:4 N 沟道,配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):...
ALD1108EPCL Advanced Linear Devices Inc 16-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N-CH ADJ QUAD 16PDIP FET 型:4 N 沟道,配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):...

ALD110900ASAL参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(双)配对
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:500 欧姆 @ 4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):10mV @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别