| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ALD1107SBL |
Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 116 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC 参考包装数量：56 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ALD110800APCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 20 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD110800ASCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD110800PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 9 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD1107PBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP（0.300"，7.62mm） | 521 | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14PDIP | FET 型：4 P 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD1106SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 233 | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD1106PBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP（0.300"，7.62mm） | 576 | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
