型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ALD1106PBL |
Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP(0.300",7.62mm) | 576 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14PDIP 参考包装数量:50 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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ALD1106SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 233 | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14SOIC | FET 型:4 N 沟道,配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):... |
ALD1107PBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP(0.300",7.62mm) | 521 | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14PDIP | FET 型:4 P 沟道,配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):... |
ALD1107SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 116 | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC | FET 型:4 P 沟道,配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):... |
ALD1105SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 62 | MOSFET 2N+2P 13.2V 14-SOIC | FET 型:2 N 和 2 P 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电... |
ALD1105PBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP(0.300",7.62mm) | 34 | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP | FET 型:2 N 和 2 P 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电... |
ALD1103SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 14 | MOSFET 2N+2P 13.2V 14-SOIC | FET 型:2 N 和 2 P 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电... |