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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK4209
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2SK4209

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简述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
参考包装数量:100
参考包装形式:托盘

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2SK4209参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.08 欧姆 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 30V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:通孔

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