收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK4181-TL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK4181-TL-E

SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 3-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

与2SK4181-TL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK4196LS ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK4197FS ON Semiconductor TO-220-3 0+222600 MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK4197LS ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK4177-E ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK4177-DL-E ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK4171 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2SK4181-TL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):525V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):920 毫欧 @ 3.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 30V
功率 - 最大值:70W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别