收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK4057-ZK-E1-AY
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK4057-ZK-E1-AY

Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与2SK4057-ZK-E1-AY相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK4057-ZK-E2-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK4058-ZK-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK4058-ZK-E2-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK4043LS ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK4034(TE24L,Q) Toshiba SC-97 MOSFET N-CH 60V 75A SC-97 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK4021(Q) Toshiba TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2SK4057-ZK-E1-AY参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14.5nC @ 12V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):720pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别