收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK3879(TE24L,Q)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK3879(TE24L,Q)

Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与2SK3879(TE24L,Q)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK3892 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-220-3 整包 171 MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3903(F) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 14A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3906(Q) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3878(F) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 9A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3869(Q) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 10A TO220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3868(Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SK3879(TE24L,Q)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 欧姆 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 25V
功率 - 最大值:80W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别