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2SK3793-AZ

Renesas Electronics America TO-220-3 隔离片 245
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简述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
参考包装数量:200
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK3796-2-TL-E ON Semiconductor SC-75,SOT-416 MOSFET J-FET N-CH 30V 10MA SMCP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):600µA ...
2SK3796-3-TL-E ON Semiconductor SC-75,SOT-416 IC JFET N-CH 30V 10MA SMCP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V ...
2SK3796-4-TL-E ON Semiconductor SC-75,SOT-416 MOSFET J-FET N-CH 30V 10MA SMCP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):2.5mA @ 10V ...
2SK3767(Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3763(Q,M) Toshiba TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3763(M) Toshiba TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SK3793-AZ参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:通孔

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