收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK3563(Q)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK3563(Q)

Toshiba TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220SIS
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与2SK3563(Q)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK3564 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 50 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3565 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3563 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3562(Q) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 6A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3561(Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SK3563(Q)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):550pF @ 25V
功率 - 最大值:35W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别