收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK3318
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK3318

Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TOP-3F
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F
参考包装数量:40
参考包装形式:散装

与2SK3318相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK3371(TE16L1,NQ) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 1A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK33720RL Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):107µA ...
2SK3314(Q) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 15A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3314 Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 15A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK3313(Q) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SK3318参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):460 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3500pF @ 20V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别