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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK3064G0L
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2SK3064G0L

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简述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与2SK3064G0L相近的型号

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2SK3064G0L参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):50 欧姆 @ 10mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装

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