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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK2713
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2SK2713

Rohm Semiconductor TO-220-3 整包 698 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN
参考包装数量:500
参考包装形式:散装

与2SK2713相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK2715TL Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK2719 Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK2719(F) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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2SK2699 Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SK2713参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):450V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

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