收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK2231(TE16R)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK2231(TE16R)

Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
参考包装数量:700
参考包装形式:带卷 (TR)

与2SK2231(TE16R)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 12000 MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2232(F,T) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 25A TO220NIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2232(T) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 25A TO220NIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2231(TE16L1,NQ) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2231(Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2231 Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2SK2231(TE16R)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):370pF @ 10V
功率 - 最大值:20W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别