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2SK221100L

Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-243AA
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简述:MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR
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与2SK221100L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK2221-E Renesas Electronics America TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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2SK2231(Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2201(TE16R) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 3A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2201(TE16L1,NQ) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 3A PW-MOLD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK2173(F) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 60V 50A TO-3PN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2SK221100L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):87pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

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