| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2SJ681(Q) |
Toshiba | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 参考包装数量：200 参考包装形式：散装 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| 2SJ683-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | 3-SMD，扁平引线 | MOSFET P-CH 60V 65A ZP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2SJ687-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET P-CH -20V -20A TO-252 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2SJ77-E | Renesas Electronics America | TO-220-3 | MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| 2SJ673-AZ | Renesas Electronics America | TO-220-3 隔离片 | 324 | MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2SJ665-DL-E | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2SJ661-DL-E | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
