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2SJ618(F)

Toshiba TO-3P-3,SC-65-3
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简述:MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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2SJ618(F)参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):180V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2300pF @ 30V
功率 - 最大值:130W
安装类型:通孔

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