| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2SJ360(TE12L,F) |
Toshiba | TO-243AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| 2SJ377(Q) | Toshiba | 2-7B1B | MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2SJ377(TE16R) | Toshiba | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2SJ377(TE16R1,NQ) | Toshiba | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 21934 | MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2SJ360(TE12L) | Toshiba | TO-243AA | MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2SJ360(F) | Toshiba | TO-243AA | MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2SJ352-E | Renesas Electronics America | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
