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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SJ338(TE16R1,NQ)
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2SJ338(TE16R1,NQ)

Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET P-CH 180V 1A PW-MOLD
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

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2SJ338(TE16R1,NQ)参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):180V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):210pF @ 10V
功率 - 最大值:20W
安装类型:表面贴装

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