收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SJ200-Y(F)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SJ200-Y(F)

Toshiba TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
参考包装数量:50
参考包装形式:散装

与2SJ200-Y(F)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SJ201-Y(F) Toshiba TO-3PL MOSFET P-CH 200V 12A TO-3PL FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SJ304(F) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SJ312(Q) Toshiba TO-220-3(SMT)标片 MOSFET P-CH 60V 14A TO-220FL FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SJ162-E Renesas Electronics America TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SJ162 Renesas Electronics America TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SJ0674G0L Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-723 7680 MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SJ200-Y(F)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):180V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 30V
功率 - 最大值:120W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别