收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2N7002TA
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2N7002TA

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 90000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与2N7002TA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2N7002TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2N7002-TP Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 36105+42000 MOSFET N-CH 115MA 60V SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2N7002V Fairchild Semiconductor SOT-563,SOT-666 27000 MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
2N7002T-7-F Diodes Inc SOT-523 18000 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2N7002T-7 Diodes Inc SOT-523 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2N7002-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2N7002TA参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):115mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V
功率 - 最大值:330mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别