| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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2N7002T,215 |
NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| 2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| 2N7002T-7 | Diodes Inc | SOT-523 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| 2N7002T | Fairchild Semiconductor | SC-89，SOT-490 | 51000 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2N7002PW,115 | NXP Semiconductors | SC-70，SOT-323 | 14227 | MOSFET N-CH SGL 60V SOT-323 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| 2N7002PV,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | 4000 | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-666 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
