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首页 > 元器件分类 > 半导体模块 > IGBT M开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
MKI100-12F8 IXYS E3 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MKI50-06A7 IXYS E2 MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
MKI50-06A7T IXYS E2 IGBT H-BRIDGE 72A 600V E2PACK IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
MKI50-12E7 IXYS E2 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MKI50-12F7 IXYS E2 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MKI65-06A7T IXYS E2 IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK IGBT 类型:- 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
MKI75-06A7 IXYS E2 MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
MKI75-06A7T IXYS E2 IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
MKI75-12E8 IXYS E3 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MKI80-06T6K IXYS E1 MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1 IGBT 类型:沟道 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60...
MUBW100-06A8 IXYS E3 MODULE IGBT CBI E3 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW10-06A6 IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW10-06A6K IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW10-06A7 IXYS E2 9 CONVERTER/BRAKE/INVERTER 1.9VCE IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW10-12A7 IXYS E2 CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.3VCE IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW15-06A6 IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW15-06A6K IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW15-06A7 IXYS E2 MODULE IGBT CBI E2 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW15-12A6 IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...
MUBW15-12A6K IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(...

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