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首页 > 元器件分类 > 半导体模块 > IGBT C开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
CM800HA-24H Powerex Inc 模块 IGBT MOD SGL 1200V 800A H SER IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V ...
CM800HA-28H Powerex Inc 模块 IGBT MOD SGL 1400V 800A H SER IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1400V ...
CM900DU-24NF Powerex Inc 模块 9 IGBT MOD DUAL 1200V 900A NF MEGA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V ...
CP10TD1-24A Powerex Inc DIP DIP-CIB MOD 1200V 10A IGBT 类型:- 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
CP15TD1-24A Powerex Inc DIP DIP-CIB MOD 1200V 15A IGBT 类型:- 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
CP20TD1-12A Powerex Inc DIP DIP-CIB MOD 600V 20A IGBT 类型:- 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
CP25TD1-24A Powerex Inc DIP DIP-CIB MOD 1200V 25A IGBT 类型:- 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
CP30TD1-12A Powerex Inc DIP DIP-CIB MOD 600V 30A IGBT 类型:- 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
CPV362M4F Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
CPV362M4K Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
CPV362M4U Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
CPV363M4F Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
CPV363M4K Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
CPV363M4U Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
CPV364M4F Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
CPV364M4KPBF Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...
CPV364M4U Vishay Semiconductors 19-SIP(13 引线),IMS-2 IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600...

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