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首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > ZXTN25060BZTA
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ZXTN25060BZTA

Diodes Inc TO-243AA 8000
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简述:TRANS NPN MEDIUM PWR 60V SOT-89
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXTN25060BZTA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXTN25100BFHTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 100V 3A SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
ZXTN25100DFHTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 TRANS NPN 100V 2.5A MED SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2.5A 电压 - 集电...
ZXTN25100DGTA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 1000 TRANS NPN HI GAIN 100V SOT223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
ZXTN25060BFHTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 24000 TRANSISTOR NPN 60V 3.5A SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3.5A 电压 - 集电...
ZXTN25050DFHTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000 TRANSISTOR NPN 50V 4A SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 - 集电极发...
ZXTN25040DZTA Diodes Inc TO-243AA TRANS NPN HI GAIN MED 40V SOT-89 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - 集电极发...

ZXTN25060BZTA参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):305mV @ 500mA,5A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,2V
功率 - 最大:2.4W
频率 - 转换:185MHz
安装类型:表面贴装

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