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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > ZXTC2062E6TA
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ZXTC2062E6TA

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简述:TRANSISTOR DUAL 20V 1A SOT23-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXTC2062E6TA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXTC2063E6TA Diodes Inc SOT-23-6 TRANSISTOR DUAL 40V 1A SOT23-6 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3.5A,3A ...
ZXTC4591AMCTA Diodes Inc 8-WDFN 裸露焊盘 3000 TRANS ARR NPN/PNP 40V DFN 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A,1.5A ...
ZXTC6717MCTA Diodes Inc 8-WDFN 裸露焊盘 3000 TRANS ARR NPN/PNP 15V/12V DFN 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.5A,4A ...
ZXTC2061E6TA Diodes Inc SOT-23-6 3000 TRANSISTOR DUAL 12V 1A SOT23-6 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A,3.5A ...
ZXTC2045E6TA Diodes Inc SOT-23-6 18000 TRANSISTOR DUAL 30V 1.5A SOT23-6 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A 电压 ...
ZXTBM322TA Diodes Inc 3-MLP TRANS NPN LO SAT 2X2MM 3-MLP 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.5A 电压 - 集电...

ZXTC2062E6TA参数资料

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晶体管类型:NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A,3.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):190mV @ 200mA,4A / 250mV @ 175mA,3.5A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):280 @ 1A,2V / 170 @ 1A,2V
功率 - 最大:1.1W
频率 - 转换:215MHz,290MHz
安装类型:表面贴装

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