收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > ZXT13N50DE6TC
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZXT13N50DE6TC

Diodes Inc SOT-23-6
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN 50V SOT23-6
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXT13N50DE6TC相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXT13P12DE6TA Diodes Inc SOT-23-6 6000 TRANS PNP LOSAT -12V -4A SOT23-6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 - 集电极发...
ZXT13P12DE6TC Diodes Inc SOT-23-6 TRANSISTOR PNP 12V SOT23-6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 - 集电极发...
ZXT13P20DE6TA Diodes Inc SOT-23-6 3000 TRANS PNP LS -20V -3.5A SOT23-6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 - 集电极发...
ZXT13N50DE6TA Diodes Inc SOT-23-6 7141 TRANS NPN LO SAT 50V 4A SOT23-6 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 - 集电极发...
ZXT13N20DE6TC Diodes Inc SOT-23-6 TRANSISTOR NPN 20V SOT23-6 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.5A 电压 - 集电...
ZXT13N20DE6TA Diodes Inc SOT-23-6 3000 TRANS NPN LOSAT 20V 4.5A SOT23-6 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.5A 电压 - 集电...

ZXT13N50DE6TC参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):180mV @ 400mA,4A
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 1A,2V
功率 - 最大:1.1W
频率 - 转换:115MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别