收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZXMP7A17KTC
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZXMP7A17KTC

Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 10000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXMP7A17KTC相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXMS6001N3TA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 2000 MOSFET N-CH PROTECTED 60V SOT223 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:520 毫欧 电流 - ...
ZXMS6002GTA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 3000 IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:385 毫欧 电流 - ...
ZXMS6003GTA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 1000 IC MOSFET N-CHAN 60V SOT223 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:385 毫欧 电流 - ...
ZXMP7A17GTA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 3000 MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMP6A18KTC Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 12500 MOSFET P-CHAN 60V DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXMP6A18DN8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

ZXMP7A17KTC参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):70V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):635pF @ 40V
功率 - 最大值:2.11W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别