| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN2A14FTA |
Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 96000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXMN2AM832TA | Diodes Inc | 8-MLP | MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8MLP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN2AMCTA | Diodes Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| ZXMN2B01FTA | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 7476 | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXMN2A05N8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| ZXMN2A04DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN2A04DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4000 | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
