型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXMN2A03E6TA |
Diodes Inc | SOT-23-6 | 12000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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ZXMN2A03E6TC | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 4000 | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
ZXMN2A04DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
ZXMN2A02X8TC | Diodes Inc | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) | MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
ZXMN2A02X8TA | Diodes Inc | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) | 3000 | MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
ZXMN2A02N8TA | Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 2000 | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |