收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZXM64P03XTC
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZXM64P03XTC

Diodes Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CHAN 30V MSOP8
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXM64P03XTC相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXM66N02N8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN HD 20V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZXM66N03N8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN HD 30V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZXM66P02N8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1000 MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZXM64P03XTA Diodes Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 9356 MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM64P035L3 Diodes Inc TO-220-3 2017 MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZXM64P035GTA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

ZXM64P03XTC参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 2.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):825pF @ 25V
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别