收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZXM64N035GTA
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZXM64N035GTA

Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXM64N035GTA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXM64N035L3 Diodes Inc TO-220-3 MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZXM64N03XTA Diodes Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM64N03XTC Diodes Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET N-CHAN 30V MSOP8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM64N02XTC Diodes Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET N-CHAN 20V MSOP8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM64N02XTA Diodes Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 6000 MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM63N02E6TA Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

ZXM64N035GTA参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):35V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 3.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):950pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别