| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ZXM62N03GTA |
Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | 1000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ZXM62P02E6TA | Diodes Inc | SOT-23-6 | 15000 | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| ZXM62P03E6TA | Diodes Inc | SOT-23-6 | 12000 | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| ZXM62P03GTA | Diodes Inc | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CHAN 30V SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXM62N03E6TA | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXM61P03FTC | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CHAN 30V SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| ZXM61P03FTA | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9000 | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
