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ZXM61N03FTC

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXM61P02FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 18000 MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM61P02FTC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CHAN 20V SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM61P03FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM61N03FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 70240 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM61N02FTC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZXM61N02FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 78000 MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ZXM61N03FTC参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 910mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 25V
功率 - 最大值:625mW
安装类型:表面贴装

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