收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZVP3310FTC
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZVP3310FTC

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET P-CHAN 100V SOT23-3
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZVP3310FTC相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZVP4105A Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 2684 MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVP4105ASTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 50V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVP4105ASTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 50V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVP3310FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 57000 MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVP3310ASTZ Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 100V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVP3310ASTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 100V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

ZVP3310FTC参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 欧姆 @ 150mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V
功率 - 最大值:330mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别