收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZVP2106ASTZ
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZVP2106ASTZ

Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
询价QQ:
简述:MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
参考包装数量:2000
参考包装形式:带盒(TB)

与ZVP2106ASTZ相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZVP2106GTA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 24000 MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVP2106GTC Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CHAN 60V SOT223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVP2110A Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 9803 MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVP2106ASTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVP2106ASTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVP2106AS Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ZVP2106ASTZ参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):280mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):100pF @ 18V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:通孔

最近更新

型号类别