收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZVN4206GTA
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZVN4206GTA

Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 34000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZVN4206GTA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZVN4206GTC Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CHAN 60V SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN4206GVTA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 19000 MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN4206GVTC Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CHAN 60V SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN4206AVSTZ Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN4206AVSTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN4206AVSTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ZVN4206GTA参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):100pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别