收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZVN3306ASTZ
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZVN3306ASTZ

Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZVN3306ASTZ相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZVN3306FTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 30000 MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN3306FTC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN3310A Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 6562 MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN3306ASTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN3306ASTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN3306A Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 5764 MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ZVN3306ASTZ参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):270mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):35pF @ 18V
功率 - 最大值:625mW
安装类型:通孔

最近更新

型号类别