收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > ZC835BTC
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZC835BTC

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:DIODE VARIABLE CAP SOT23-3
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZC835BTC相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZC836ATA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VAR CAP 100PF 25V SOT23-3 电容@ Vr, F:110pF @ 2V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件:...
ZC836ATC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3 电容@ Vr, F:110pF @ 2V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件:...
ZC836BTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VARACTOR CAP SOT23-3 电容@ Vr, F:105pF @ 2V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件:...
ZC835BTA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VARACTOR CAP SOT23-3 电容@ Vr, F:71.4pF @ 2V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件...
ZC835ATC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3 电容@ Vr, F:74.8pF @ 2V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件...
ZC835ATA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VAR CAP 68PF 25V SOT23-3 电容@ Vr, F:74.8pF @ 2V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件...

ZC835BTC参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:71.4pF @ 2V,1MHz
电容比:6.5
电容比条件:C2/C20
电压 - 峰值反向(最大):25V
二极管类型:单一
在 Vr、F 时的 Q 值:100 @ 3V,50MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别