收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > UPA828TD-T3-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

UPA828TD-T3-A

CEL 6-SMD
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN SIL RF DUAL 6MINI
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与UPA828TD-T3-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
UPA861TD-A CEL TD TRANSISTOR NPN DUAL TD 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V 频率 -...
UPA861TD-T3-A CEL 6-SMD,扁平引线 TRANSISTOR NPN DUAL TD 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V 频率 -...
UPA862TD-A CEL TD TRANSISTOR NPN DUAL TD 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V,5.5V...
UPA828TD-A CEL 6-SMD,扁平引线 0+16079 TRANSISTOR NPN SIL RF DUAL 6MINI 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V 频率 -...
UPA814T-T1-A CEL 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR NPN FT=9GHZ SOT-36 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V 频率 -...
UPA814T-T1 CEL 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN HF FT=9GHZ SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V 频率 -...

UPA828TD-T3-A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V
频率 - 转换:9GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.3dB @ 2GHz
增益:-
功率 - 最大:180mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 20mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别